R05200 टैंटलम प्लेट के लाभ
R05200 एक शुद्ध टैंटलम सामग्री (UNS R05200) है जो ASTM B708 मानक से मिलता है और निम्नलिखित मुख्य लाभ प्रदान करता है:
1। उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध
यह उच्च तापमान और मजबूत एसिड (जैसे हाइड्रोक्लोरिक एसिड, सल्फ्यूरिक एसिड, नाइट्रिक एसिड) और क्लोराइड वातावरण में उत्कृष्ट प्रदर्शन है, और इसका संक्षारण प्रतिरोध टाइटेनियम और हेस्टेलॉय से अधिक है।
एक्वा रेजिया संक्षारण के लिए प्रतिरोधी, चरम रासायनिक वातावरण के लिए उपयुक्त (जैसे केंद्रित सल्फ्यूरिक एसिड बाष्पीकरणकर्ता)।
2। बायोकंपैटिबिलिटी
आईएसओ 10993 प्रमाणित, गैर-विषैले, गैर-एलर्जेनिक, व्यापक रूप से आर्थोपेडिक प्रत्यारोपण (जैसे हड्डी के नाखून, खोपड़ी की मरम्मत प्लेट) में उपयोग किया जाता है।
3। उच्च तापमान स्थिरता
2996 डिग्री के पिघलने बिंदु के साथ, इसका उपयोग लंबे समय तक 600 डिग्री पर किया जा सकता है और थोड़े समय के लिए 2000 डिग्री (जैसे रॉकेट नोजल अस्तर) के प्लाज्मा वातावरण का सामना कर सकता है।
4। उत्कृष्ट भौतिक गुण
उच्च थर्मल चालकता (57.5 w\/m · k) और विद्युत चालकता (प्रतिरोधकता 13.5 μ · · सेमी) उच्च-शक्ति संधारित्रों के लिए।
थर्मल विस्तार का कम गुणांक (6.5 × 10 k\/k) उच्च तापमान वाले वातावरण में आयामी स्थिरता सुनिश्चित करता है।
5। प्रसंस्करण अनुकूलनशीलता
कोल्ड रोलिंग के बाद 25% तक की बढ़ाव जटिल मुद्रांकन (जैसे पतली-दीवार वाले रिएक्टर लाइनिंग) को सक्षम करती है।
R05200 टैंटलम प्लेट की प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी
1। ठंड का निर्माण
रोलिंग: मल्टी-पास कोल्ड रोलिंग (विरूपण से कम या 30% प्रति पास के बराबर), इंटरमीडिएट एनीलिंग (1000-1200 डिग्री \/वैक्यूम)।
स्टैम्पिंग: डाई गैप को किनारे की खुर से बचने के लिए प्लेट की मोटाई के 5-8% पर नियंत्रित किया जाता है।
2। वेल्डिंग
इलेक्ट्रॉन बीम वेल्डिंग: वैक्यूम वातावरण (1 × 10) pa से कम या बराबर या उसके बराबर या पावर घनत्व 3 × 10⁴ w\/cm,, पहलू अनुपात 20: 1 तक।
TIG वेल्डिंग: आर्गन शुद्धता 99.999%से अधिक या बराबर, पीछे की तरफ आर्गन सुरक्षा की आवश्यकता होती है, और R05200 मिलान घटकों का उपयोग वेल्डिंग तारों के लिए किया जाता है।
3। गर्मी उपचार
Recrystallization annealing: 1200 डिग्री × 1H (5 × 10⁻ has pa से कम या बराबर वैक्यूम), अनाज का आकार नियंत्रण ASTM ग्रेड 6-8।
4। मशीनिंग
उपकरण: रेक कोण 10-15 डिग्री और रियर एंगल 6-8 डिग्री के साथ डायमंड-लेपित कार्बाइड।
पैरामीटर: रैखिक गति 3 से कम या उसके बराबर या बराबर 3 0 m\/min, फ़ीड 0। 05-0। 1 मिमी\/r, इमल्शन कूलिंग (पीएच तटस्थ)।
R05200 टैंटलम प्लेट ठेठ अनुप्रयोग फ़ील्ड और मामले
| अनुप्रयोग क्षेत्र |
विशिष्ट अनुप्रयोग |
प्रदर्शन आवश्यकताएँ |
मामला विनिर्देश
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रासायनिक उपस्कर |
रिएक्टर अस्तर, कंडेनसर ट्यूब |
160 डिग्री केंद्रित कुल्फुरिक एसिड संक्षारण प्रतिरोध |
THK 3MMX2000 × 1000 मिमी |
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इलैक्ट्रॉनिक्स उद्योग |
उच्च विशिष्ट समाई संधारित्र एनोड |
सतह खुरदरापन ra से कम या 0 के बराबर है। 2μm |
0। |
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चिकित्सा आरोपण |
खोपड़ी मरम्मत प्लेट, संवहनी स्टेंट |
एएसटीएम F560 |
Thk 1.5 मिमी, 30% पोरसिटी झरझरा संरचना |
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एयरोस्पेस उद्योग |
रॉकेट नोजल गला अस्तर, उपग्रह थर्मल नियंत्रण घटक |
3000 डिग्री तात्कालिक उच्च तापमान प्रतिरोध |
C103 कोटिंग समग्र संरचना, THK 5 मिमी |
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वैक्यूम उपकरण |
स्पटरिंग टारगेट, सिंगल क्रिस्टल फर्नेस हीटर |
99.95%से अधिक या उसके बराबर शुद्धता, अनाज का आकार 50μm से कम या बराबर है |
Φ300 मिमी लक्ष्य, 16.6g\/cm g |
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